TIP35C — STMicroelectronics
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TIP35C — STMicroelectronics

Sku: GAV0085

NCM: 8541.29.20

Categoria: TransistorComponentes

Marca: Importado

Quantidade Disponivel: 16 un

Unidade: un
un

Por R$ 14,00

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Descrição do Produto

O TIP35C da STMicroelectronics é um transistor bipolar de junção (BJT) do tipo NPN, desenvolvido para aplicações de alta potência que exigem elevada capacidade de corrente, excelente desempenho térmico e alta confiabilidade. Fabricado com tecnologia planar epitaxial ("base island"), o dispositivo apresenta baixa tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)), elevado ganho de corrente e excelente estabilidade durante a operação, sendo indicado para aplicações lineares e de chaveamento.

Com capacidade para suportar 100 V entre coletor e emissor, corrente contínua de até 25 A e dissipação máxima de 125 W, o TIP35C é amplamente empregado em amplificadores de áudio de alta potência, fontes de alimentação lineares, reguladores de tensão, inversores, carregadores de baterias, controles de motores, equipamentos industriais e diversos sistemas eletrônicos de potência. Seu encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica quando utilizado com dissipadores adequados. O transistor complementar é o TIP36C (PNP), formando um par ideal para estágios de saída push-pull em amplificadores e circuitos de potência.

Principais características técnicas

  • Fabricante: STMicroelectronics
  • Modelo: TIP35C
  • Tipo: Transistor Bipolar de Junção (BJT)
  • Polaridade: NPN
  • Tecnologia: Silício epitaxial planar (Base Island)
  • Encapsulamento: TO-247
  • Montagem: Through Hole (THT)
  • Tensão máxima coletor-emissor (VCEO): 100 V
  • Tensão máxima coletor-base (VCBO): 100 V
  • Tensão máxima emissor-base (VEBO): 5 V
  • Corrente contínua de coletor (IC): 25 A
  • Corrente de pico de coletor (ICM): 50 A
  • Corrente máxima de base (IB): 5 A
  • Potência máxima dissipada (PTOT): 125 W (Tc = 25 °C)
  • Ganho de corrente contínua (hFE): mínimo 10 (IC = 15 A)
  • Frequência de transição (fT): aproximadamente 3 MHz
  • Tensão de saturação VCE(sat): baixa, típica da tecnologia planar
  • Temperatura de operação da junção: −65 °C a +150 °C
  • Transistor complementar: TIP36C (PNP)
  • Compatível com RoHS (ECOPACK2)

Aplicações

  • Amplificadores de áudio de alta potência (Classe AB)
  • Fontes de alimentação lineares
  • Reguladores de tensão
  • Fontes de bancada de alta corrente
  • Inversores CC/CA
  • Carregadores de baterias
  • Controle de motores de corrente contínua
  • Acionamento de solenóides e eletroímãs
  • Equipamentos industriais
  • Sistemas de automação
  • Estágios de saída push-pull
  • Circuitos eletrônicos de potência em geral

Pinagem (TO-247)

Vista frontal (lado da inscrição):

  1. Base (B)
  2. Coletor (C) (também conectado à aba metálica)
  3. Emissor (E)

Vantagens

  • Corrente elevada de até 25 A
  • Tensão máxima de 100 V
  • Potência dissipada de até 125 W
  • Baixa tensão de saturação
  • Excelente desempenho térmico
  • Alta confiabilidade para aplicações industriais
  • Complementar direto ao TIP36C
  • Encapsulamento TO-247 para excelente dissipação de calor
Informações do Produto

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