TIP120 — STMicroelectronics

O TIP120 da STMicroelectronics é um transistor bipolar de potência do tipo NPN Darlington, constituído por dois transistores NPN conectados internamente em configuração Darlington para proporcionar um elevado ganho de corrente (hFE). Este dispositivo é projetado para aplicações de chaveamento e amplificação de potência, permitindo o controle de cargas de corrente elevada utilizando uma corrente de base relativamente baixa. É amplamente empregado em acionamento de motores de corrente contínua, relés, solenóides, lâmpadas, fontes de alimentação, equipamentos industriais, sistemas de automação e interfaces de potência para microcontroladores como Arduino, ESP32, STM32 e PIC.

Descrição minuciosa

• Fabricante: STMicroelectronics
• Modelo: TIP120
• Tipo: Transistor Bipolar de Junção (BJT)
• Polaridade: NPN
• Configuração: Darlington
• Tecnologia: Silício
• Encapsulamento: TO-220
• Montagem: Through Hole (THT)
• Número de transistores internos: 2 (configuração Darlington)
• Número de terminais: 3
• Terminais: Base (B), Coletor (C) e Emissor (E)
• Tensão máxima coletor-emissor (VCEO): 60 V
• Tensão máxima coletor-base (VCBO): 60 V
• Tensão máxima emissor-base (VEBO): 5 V
• Corrente contínua de coletor (IC): 5 A
• Corrente de pico de coletor (ICP): até 8 A
• Potência máxima de dissipação (PD): 65 W (com dissipador adequado)
• Ganho de corrente contínua (hFE): mínimo de 1000 (IC = 3 A)
• Tensão de saturação VCE(sat): tipicamente entre 2 V e 4 V, dependendo da corrente de coletor
• Temperatura máxima de junção: +150 °C
• Faixa de temperatura de armazenamento: -65 °C a +150 °C

Características principais

• Configuração Darlington de alto ganho.
• Elevada capacidade de corrente para acionamento de cargas de potência.
• Baixa corrente de base necessária.
• Encapsulamento TO-220 compatível com dissipadores de calor.
• Alta confiabilidade e robustez elétrica.
• Adequado para aplicações de chaveamento e amplificação.
• Compatível com circuitos de lógica TTL e CMOS mediante dimensionamento adequado do resistor de base.

Aplicações

• Acionamento de motores CC.
• Controle de relés industriais.
• Solenóides e eletroválvulas.
• Fontes lineares e reguladores.
• Drivers para LEDs de alta potência.
• Equipamentos de automação industrial.
• Interfaces de potência para microcontroladores.
• Amplificadores de potência de baixa frequência.
• Equipamentos de instrumentação eletrônica.
• Sistemas de controle embarcados.

Observações técnicas

Por utilizar uma configuração Darlington, o TIP120 apresenta um ganho de corrente muito elevado, porém possui uma queda de tensão coletor-emissor em saturação relativamente alta, normalmente entre 2 V e 4 V, o que aumenta a dissipação de potência em comparação com MOSFETs ou transistores BJT convencionais. Em aplicações de alta eficiência energética ou baixas perdas, um MOSFET de canal N costuma ser uma alternativa mais indicada.