TDA1011 — NXP Semiconductors

O TDA1011 é um circuito integrado monolítico amplificador de potência de áudio de baixa frequência (AF), originalmente desenvolvido pela Philips Semiconductors, atualmente pertencente à NXP Semiconductors. Foi projetado para aplicações de áudio de 2 W a 6 W, reunindo em um único encapsulamento um pré-amplificador e um amplificador de potência, reduzindo significativamente a quantidade de componentes externos necessários para o projeto.

O dispositivo opera com alimentação simples entre 3,6 V e 24 V, permitindo sua utilização tanto em equipamentos alimentados por bateria quanto em aparelhos ligados à rede elétrica. Em uma carga de 4 Ω, pode fornecer aproximadamente 4 W com alimentação de 12 V e até 6 W quando alimentado com 16 V, mantendo baixa distorção harmônica e elevada qualidade sonora.

O TDA1011 incorpora proteção térmica interna contra sobreaquecimento, alta impedância de entrada, baixo consumo de corrente em repouso e boa imunidade a interferências de radiofrequência (RF). Sua arquitetura separa internamente os estágios de pré-amplificação e potência, oferecendo maior flexibilidade no desenvolvimento de sistemas de áudio. O encapsulamento utilizado é o SIL-9 (Single In-Line Package – SOT110-1), adequado para montagem convencional e fácil dissipação térmica.

Devido à sua robustez, simplicidade de aplicação e boa qualidade de áudio, o TDA1011 foi amplamente empregado em rádios portáteis, gravadores, televisores, equipamentos de som compactos e outros aparelhos eletrônicos de consumo.

Principais características

• Amplificador monofônico de potência de áudio
• Potência de saída de 2 W a 6 W
• Alimentação simples de 3,6 V a 24 V
• Potência típica de 4,2 W em 4 Ω com alimentação de 12 V
• Potência típica de 6,5 W em 4 Ω com alimentação de 16 V
• Estágios internos de pré-amplificador e amplificador de potência
• Proteção térmica integrada
• Alta impedância de entrada
• Baixo consumo de corrente em repouso (aproximadamente 14 mA)
• Baixa distorção harmônica (THD típica de 0,2% a 1 W)
• Boa imunidade a interferências de RF
• Encapsulamento SIL-9 (SOT110-1)
• Faixa de temperatura de operação de −25 °C a +150 °C.

Aplicações

• Rádios portáteis
• Gravadores de áudio
• Televisores
• Sistemas de som compactos
• Interfones
• Equipamentos multimídia
• Amplificadores monofônicos
• Equipamentos industriais com saída de áudio
• Sistemas de aviso sonoro
• Projetos de amplificação de áudio de baixa potência