2N3055G — onsemi

Transistor BJT NPN de potência para aplicações gerais de amplificação e chaveamento. Possui tensão máxima coletor-emissor (VCEO) de 60 V, corrente máxima de coletor (IC) de 15 A, dissipação máxima de 115 W, ganho de corrente (hFE) de 20 a 70 (a 4 A) e frequência de transição típica de 2,5 MHz. É indicado para fontes lineares, amplificadores de áudio, reguladores de tensão, inversores, acionamento de motores e cargas de potência. A versão 2N3055G é livre de chumbo (Pb-Free). Encapsulamento TO-3 (TO-204AA) para montagem em dissipador.